BSB028N06NN3 G
1个N沟道 耐压:60V 电流:22A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB028N06NN3 G
- 商品编号
- C534267
- 商品封装
- MG-WDSON-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,30A | |
| 功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@102uA |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.3 A条件下，最大rDS(on) = 110 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 3.0 A条件下，最大rDS(on) = 122 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度为1 mm
- 经过100% UIL测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换-PSE开关