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HD303P150S
HD303P150S
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD303P150S
- 商品编号
- C52204616
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N型增强型功率 MOSFET 采用先进的双沟槽技术制造而成，该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。此款器件适用于电池管理系统及大电流开关应用场合。
商品特性
- VDS = -30 V
- ID = - 20;A
- RDS(on)@VGS = -10 V < 15 m Ω -RDS(ON)@ VGS = -4.5 V < 22 m Ω
- 低导通电阻
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理