温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL3134KE
N沟道MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3134KE
- 商品编号
- C52204686
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 0.75 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(导通) < 330 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(导通) < 400 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电压控制小信号开关