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HD510N060SG
N沟道MOSFET，采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术，具备超低导通电阻和快速开关速度，适用于DC-DC转换器、电机控制和便携式设备应用
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD510N060SG
- 商品编号
- C52204618
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.253002克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.168nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 100 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 5.7 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 8 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 采用先进的分裂栅沟槽技术
- 开关速度快
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 便携式设备应用