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HL2302B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 333pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 漏极电流（ID） = 4A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(on)） < 30 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(on)） < 45 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 符合无铅产品要求
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 电源管理