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HL3134K
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 670mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 0.7 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 330 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 400 mΩ
- 先进沟槽工艺技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备负载开关-电压控制小信号开关