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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 320W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.563nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 120V
- 漏极电流（ID） = 300 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 2.5 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- 高速功率开关
- 直流-直流转换器
- 电源管理