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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V
- 漏极电流（ID） = 50 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 12 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 18 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 开关速度快
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制