VS3C10ET07T-M3-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: VS3C10ET07T-M3-HXY
商品编号: C52195031
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.24克(g)

商品参数