VS3C10ET07T-M3-HXY

VS3C10ET07T-M3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS3C10ET07T-M3-HXY

商品编号

C52195031

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.24克(g)