SIC20120PTP-BP-HXY

SIC20120PTP-BP-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备20A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压阻断场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，支持高频工作模式。主要应用于高功率密度电源转换系统，如通信电源、储能逆变装置、高压直流变换器及太阳能发电系统中的整流与续流环节，可在高温、高应力环境下稳定运行，满足严苛的电力电子设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIC20120PTP-BP-HXY

商品编号

C52195044

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)