E4D20120A-HXY

E4D20120A-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V，具备良好的导通效率。基于碳化硅半导体材料，该器件具有优异的开关特性和高温工作能力，可有效降低开关损耗并提升系统热稳定性。适用于高效率电力转换场景，如服务器电源、储能系统逆变单元及高压直流变换模块，在高频运行条件下仍能保持较低的能量损耗和可靠的电气性能，有助于提高整体电源系统的功率密度与运行效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

E4D20120A-HXY

商品编号

C52195051

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.3克(g)