AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY

AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY

描述

本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的电性能和可靠性。其连续漏极电流ID可达69A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高电压应用场景。导通电阻RDON为59mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。碳化硅材料的引入显著提升了器件的热稳定性和高频响应能力，使其适用于高功率密度电源转换、高效电机控制及精密电子设备中的复杂电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY

商品编号

C52195057

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

13.33克(g)