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AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY
AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的电性能和可靠性。其连续漏极电流ID可达69A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高电压应用场景。导通电阻RDON为59mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。碳化硅材料的引入显著提升了器件的热稳定性和高频响应能力，使其适用于高功率密度电源转换、高效电机控制及精密电子设备中的复杂电路设计需求。
- 商品型号
- AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY
- 商品编号
- C52195057
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 13.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 耗散功率(Pd) | 426W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.073nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 122pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
- IMW120R040M1HXKSA1-HXY
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