IMW120R040M1HXKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容等特性

描述

本款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道增强型器件，连续漏极电流可达87.5A，漏源击穿电压为1200V，具备高电压和大电流承载能力，适用于高性能功率转换场景。导通电阻为39mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予其优异的高温稳定性、高频特性和抗辐射能力，适合复杂电磁环境中的稳定运行。该器件可广泛应用于高效电源、可再生能源系统、精密控制电路以及高可靠性电子设备中，满足对性能与稳定性要求较高的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMW120R040M1HXKSA1-HXY

商品编号

C52195058

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

13.06克(g)