SICPT20120Y-BP-HXY

SICPT20120Y-BP-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、高温工作环境，反向恢复时间短，漏电流小，适用于高密度电源转换装置。典型应用场景包括高效DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源逆变系统以及高性能整流模块等，满足对能效和可靠性要求较高的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICPT20120Y-BP-HXY

商品编号

C52195036

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)