S4D40120H-HXY

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描述: 该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）达40A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，正向压降（VF）典型值为1.4V。采用碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作性能和高耐压特性，反向恢复时间极短，开关损耗低。适用于高功率、高效率的电力电子系统，如大功率开关电源、高压直流配电整流单元、可再生能源逆变装置及高密度储能系统的功率转换模块，有助于提升系统能效，减少热管理复杂度，并支持高频化设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: S4D40120H-HXY
商品编号: C52195041
商品封装: TO-247-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 8.573333克(g)

商品参数