SIC20120B-BP-HXY

SIC20120B-BP-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIC20120B-BP-HXY

商品编号

C52195042

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.06克(g)