S4D30120H-HXY

S4D30120H-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、服务器电源单元及高密度功率因数校正电路，有助于减小被动元件体积，提高功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D30120H-HXY

商品编号

C52195034

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

7.786667克(g)