S4D20120A-HXY

S4D20120A-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，同时具备良好的热稳定性，适用于对效率和空间布局有较高要求的电力转换场合，如高效电源模块、可再生能源逆变系统及高密度功率变换装置，为复杂电路设计提供可靠的解决方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D20120A-HXY

商品编号

C52195032

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.116克(g)