S4D20120H-HXY

S4D20120H-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度设计中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优良，适用于对效率和热管理有严格要求的电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D20120H-HXY

商品编号

C52195033

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)