IDWD10G120C5-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗和热积累。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统的功率级设计，适合对热管理和空间布局有严格要求的应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IDWD10G120C5-HXY
商品编号: C52195028
商品封装: TO-247-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 7.76克(g)

商品参数