C3D08065I-HXY

C3D08065I-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，反向耐压650V，正向导通压降为1.38V，具备低损耗与高效率的导通特性。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的反向恢复性能，可显著降低开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。其热稳定性良好，有助于减少散热设计负担。典型应用包括高效能电源转换系统、服务器电源模块、储能系统的功率变换电路，以及对能效和功率密度有较高要求的电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3D08065I-HXY

商品编号

C52194981

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.256克(g)