BSDH10G65E2-HXY

BSDH10G65E2-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高压直流配电模块，有助于减小无源元件体积并提高系统功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSDH10G65E2-HXY

商品编号

C52194995

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.256克(g)