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IR2110PBF-HX
高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立使能和坚固的单片结构，逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出
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- 描述
- IR2110PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，兼容3.3V逻辑输入，高边驱动电压达600V，延时匹配适用于高频应用
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- IR2110PBF-HX
- 商品编号
- C52191358
- 商品封装
- DIP-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.0454克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 120ns | |
| 传播延迟 tpHL | 94ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 9.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 6V | |
| 静态电流(Iq) | 15uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
IR2110PBF-HX 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，最低可至 3.3V 逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动级间的交叉导通。传播延迟经过匹配，以简化在高频应用中的使用。浮置通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 500V 或 600V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮置通道
- 完全工作电压可达 +500V 或 +600V，耐受负瞬态电压，对 dV/dt 效应免疫
- 栅极驱动电源电压范围：10V 至 20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 兼容 3.3V 逻辑电平
- 独立的逻辑电源电压范围：3.3V 至 20V，逻辑地与功率地之间允许 ±5V 的偏移
- 具有下拉电阻的 CMOS 施密特触发输入
- 支持逐个周期的边沿触发关断逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
- 输出与输入同相
应用领域
- 电机驱动
- 开关电源
- 不间断电源