C6D06065Q-TR-HXY

C6D06065Q-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景，如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节，以及高功率密度的开关电源模块，有助于降低系统功耗，提升整体能效与运行可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C6D06065Q-TR-HXY

商品编号

C51896317

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)