S3D10065E-HXY

S3D10065E-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D10065E-HXY

商品编号

C51896241

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.4克(g)