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S3D10065E-HXY
S3D10065E-HXY
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- 描述
- 该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。
- 商品型号
- S3D10065E-HXY
- 商品编号
- C51896241
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 30.5A | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
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