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CSD23202W10
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.2A
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- 描述
- CSD23202W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23202W10
- 商品编号
- C527452
- 商品封装
- DSBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 512pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品概述
这款 12V, 44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小尺寸封装 1mm × 1mm
- 薄型, 0.62mm 高度
- 无铅
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护