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MDP14N050TH
MDP14N050TH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDP14N050TH
- 商品编号
- C51891807
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.728667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 193A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.267nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 输出电容(Coss) | 923pF |
商品概述
MDP14N050TH是最新一代的中压（MV）MOSFET技术产品，具备极低的导通电阻Rds(on)、快速开关性能和卓越品质，可实现高性能。 这些器件还可用于工业应用，如电动自行车、轻型电动汽车的低功率驱动器、DC/DC转换器以及通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 135 V
- 当栅源电压VGS = 10 V时,漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通状态下的漏源电压VDS(ON) < 5.0 mΩ
- 工作温度可达175°C
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UI L)测试
- 经过100%栅极电阻(Rg)测试
- 经过100%漏源电压变化(△VDS)测试
- TO-220封装
应用领域
-电动自行车低功率驱动器-轻型电动汽车-DC/DC转换器-通用应用