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MMF80R650QZTH
MMF80R650QZTH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMF80R650QZTH
- 商品编号
- C51891812
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.987333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
MMF80R650QZ是一款功率MOSFET，采用了Magnachip先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它能提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低开关损耗的优势，还具备低电磁干扰（EMI）的特性。
商品特性
- 通过高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
- 出色的静电放电(ESD)鲁棒性
- 经过100%雪崩测试
- 环保封装 - 无铅电镀、无卤
应用领域
- 功率因数校正(PFC)电源级
- 开关应用
- 适配器