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MMQ60R044RFTH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMQ60R044RFTH

MMQ60R044RFTH

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商品型号
MMQ60R044RFTH
商品编号
C51891818
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.902222克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V
耗散功率(Pd)378.8W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)154nC@10V
输入电容(Ciss)6nF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

MMQ60R044RF 是一款采用美格纳半导体(Magnachip)先进超结技术的功率 MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。它具有低栅极电荷和超快体二极管,因此关断性能得到改善。MMQ60R044RF 在软开关应用中具有出色的性能,如效率和电磁干扰(EMI)表现。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 通过高速开关和低导通电阻实现低功耗
  • 100% 雪崩测试
  • 绿色封装 - 无铅电镀、无卤素

应用领域

-软开关应用-服务器电源-电信-电动汽车充电

数据手册PDF