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MDES08N019RH
MDES08N019RH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDES08N019RH
- 商品编号
- C51891826
- 商品封装
- D2PAK-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 输出电容(Coss) | 2.634nF |
商品概述
MDES08N019RH采用了先进的美格纳半导体（Magnachip）MV MOSFET技术，该技术在导通电阻、快速开关性能和卓越品质方面表现出色。 MDES08N019RH是适用于电机驱动应用和通用应用的理想器件。
商品特性
- 漏源极电压(VDS) = 80 V
- 漏极电流(ID) = 180 A(栅源极电压VGS = 10 V时)
- 漏源导通电阻VDS(ON) < 1.9 mΩ(栅源极电压VGS = 10 V时)
- 100%进行单脉冲雪崩耐量(UI1L)测试
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 工作温度可达175°C
- TO-263-7L封装
应用领域
-电机驱动应用-通用应用