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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.892nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.058nF |
商品概述
MDU04N010VRH采用先进的美格纳(Magnachip)MOSFET技术，在导通电阻、快速开关性能和卓越品质方面表现出色。MDU04N010VRH适用于服务器同步整流及通用应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- 当VGS = 10 V时,ID = 100 A
- 当VGS = 10 V时,VDS(ON) < 1.0 mΩ
- 经过100% UII L测试
- 经过100% Rg测试
应用领域
-服务器同步整流-通用应用
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