温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMF60R580QTH
MMF60R580QTH
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMF60R580QTH
- 商品编号
- C51891813
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.982333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 478pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 427pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
MMF60R580Q是一款采用先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低电磁干扰(EMI)的优势,还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
- 经过100%雪崩测试
- 环保封装 - 无铅电镀、无卤素
应用领域
- 功率因数校正(PFC)电源级
- 开关应用
- 适配器
- 电机控制
- DC-DC转换器