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MDY10N025RH实物图
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MDY10N025RH

MDY10N025RH

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商品型号
MDY10N025RH
商品编号
C51891815
商品封装
M2PAK-7P​
包装方式
编带
商品毛重
2.507333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)240A
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)469W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)167nC
属性参数值
输入电容(Ciss)12.508nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+175℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.457nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

MDY10N025RH采用了先进的美格纳半导体(Magnachip)的MV MOSFET技术,该技术在导通电阻、快速开关、并联性能和卓越品质方面提供了高性能。 MDY10N025RH是热性能要求较高的高功率应用的最佳解决方案。 驱动器源极引脚可避免栅极振铃和误触发,而在普通封装中,通常需要限制开关损耗来管理源极杂散电感以避免此类问题。

商品特性

  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 100%雪崩、栅极电阻(Rg)、△VDS测试
  • 高可靠性封装解决方案

应用领域

-电机逆变器-电池管理-功率逆变器

数据手册PDF