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MMUB65R090RURH
MMUB65R090RURH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMUB65R090RURH
- 商品编号
- C51891811
- 商品封装
- PDFN88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品概述
MMUB65R090R是一款功率MOSFET，采用了Magnachip先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计人员带来了低电磁干扰（EMI）、低开关损耗以及出色的静电放电（ESD）能力等优势。
商品特性
- 高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
- 出色的ESD鲁棒性
- 100%雪崩测试
- 环保封装 – 无铅电镀、无卤素
应用领域
- 高端OLED电视
- 功率因数校正(PFC)电源级
- 开关应用
- 适配器