MUN2233
带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
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- 描述
- 晶体管类型:NPN,集电极电流:100mA,集射极击穿电压:50V,耗散功率:246mW,适用于线性及开关应用。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MUN2233
- 商品编号
- C51883366
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0299克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 246mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80@5mA,10V | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 |
商品概述
这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有单片偏置网络电阻的单晶体管。BRT将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了这些元件。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SOT - 23封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间和元件数量
- SOT - 23封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚可在焊接过程中吸收热应力,消除芯片受损的可能性。
