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BC2301
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- P沟道，漏源电压：20V，连续漏极电流：2.8A，导通电阻：110mΩ@4.5V，耗散功率：0.7W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BC2301
- 商品编号
- C51883375
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 符合无卤产品要求
- 具备高功率和大电流处理能力
- VDS = -20V，ID = -2.8A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(导通) < 110 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理