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H18N20D
N沟道 200V 18A
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- 描述
- N沟道，漏源电压：200V，连续漏极电流：18A，导通电阻：120mΩ@10V，耗散功率：83W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H18N20D
- 商品编号
- C51883378
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 491pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的雪崩耐用性
- 无铅
应用领域
- 开关电源中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电动工具
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制
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