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H14N10FBL
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：100V，连续漏极电流：13.8A，导通电阻：75mΩ@10V，耗散功率：35W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H14N10FBL
- 商品编号
- C51883377
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@4.5V；75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源