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MMBT7002DW
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：60V，连续漏极电流：0.115A，导通电阻：7.5Ω@10V，耗散功率：0.2W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MMBT7002DW
- 商品编号
- C51883376
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.08nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -5.1 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ（典型值：43 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装