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MMBT5401BD
PNP硅外延平面晶体管，用于高压开关和放大器应用
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- 描述
- 晶体管类型：PNP，集电极电流：200mA，集射极击穿电压：150V，耗散功率：300mW，适用于线性及开关应用。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MMBT5401BD
- 商品编号
- C51883368
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV@10mA,1mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品概述
适用于高压开关和放大器应用。
商品特性
- 采用小型表面贴装封装，完全内部隔离
- 无卤无锑（HAF），符合 RoHS 标准
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