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HXM10H02NSA
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：100V，连续漏极电流：2A，导通电阻：240mΩ@10V，耗散功率：1.25W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HXM10H02NSA
- 商品编号
- C51883367
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的封装设计，具备良好的散热性能
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 2 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(on) < 240 mΩ
- SOT - 23封装
- 丝印代码：0102
应用领域
- 电源开关应用-不间断电源