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HMC717ALP3ETR
GaAs pHEMT MMIC 低噪声放大器，4.8 - 6.0 GHz
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- 描述
- 低噪声放大器，采用SMT封装，4.8-6.0GHz
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC717ALP3ETR
- 商品编号
- C523990
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.446克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 4.8GHz~6GHz | |
| 增益 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 1.25dB | |
| 工作电压 | 3V~5V | |
| 工作电流 | 73mA |
商品概述
HMC717ALP3E是一款砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器，非常适合工作在4.8至6.0 GHz频段的固定无线以及LTE/WiMAX/4G基站前端接收器。该放大器经过优化，在+5V单电源供电下，可实现1.1 dB的噪声系数、14.5 dB的增益以及+29.5 dBm的输出三阶交调截点（IP3）。输入和输出回波损耗表现出色，且该低噪声放大器（LNA）仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。HMC717ALP3E可在+3V至+5V的电源电压下偏置，其电源电流可通过外部调节，使设计人员能够针对不同应用调整低噪声放大器的线性性能。
商品特性
- 噪声系数：1.1 dB
- 增益：14.5 dB
- 输出三阶交调截点（IP3）：+29.5 dBm
- 单电源：+3V至+5V
- 16引脚3x3mm QFN封装：9 mm²
应用领域
- 固定无线和LTE/WiMAX/4G
- 基站（BTS）及基础设施
- 中继器和毫微微蜂窝基站
- 公共安全无线电
- 接入点
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- OPA211AIDR
- TPA3004D2PHPR
- CC2538NF23RTQR
- REF02BU
- TLV320AIC33IRGZR
- BQ27000DRKR
- ISO5500DW