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IPD60R2K1CE实物图
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IPD60R2K1CE

N-Channel 停产

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商品型号
IPD60R2K1CE
商品编号
C520629
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.367克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型-
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
属性参数值
功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,在满足最高效率标准的同时,可应用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的降本性能比。

商品特性

-由于极低的品质因子Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关级,例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明。

数据手册PDF