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HSBB4600
N-Ch和P-Ch快速开关MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB4600
- 商品编号
- C51025847
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V；7.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V；20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF；1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF；203pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF；194pF |