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HSU10N15
N沟道150V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。具备绿色环保器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制能力，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU10N15
- 商品编号
- C51025865
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |