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HSP16N25
N沟道250V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证单脉冲雪崩能量 (EAS)，具备完整功能可靠性认证。具有超低栅极电荷，可有效降低 Cdv/dt 效应，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP16N25
- 商品编号
- C51025874
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.289nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 149pF |
商品概述
HSP15N25采用先进的平面MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。 HSP16N25符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。 N沟道250V快速开关MOSFET产品概述
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术