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HSMA8076A
N沟道快速开关MOSFET，具备低栅极电荷和先进高单元密度SGT技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSMA8076A
- 商品编号
- C51025886
- 商品封装
- LFPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.051nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
HSMA8076A 是高单元密度 SGT N 沟道 MOSFET，可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSMA8076A 符合 RoHS 和无卤产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度 SGT MOS 技术
- HSKA4090A
- CHV-100V-4c
- 60*200cm-500kg
- BSMD1210L-450-21V
- BSMD2920L-800-24V
- BSMD2920L-900-24V
- BSMD2920L-1400-16V
- ZCHLM-M3-1
- ZCHLM-M3-2
- STMT67280-8-23
- WK-79cm*77cm*6cm-2cm
- WK-79cm*78cm*6cm-2cm
- XWJ-1200W-1080P-32G
- 20MM-103-20
- LWLZ-M3-4(5.4)
- LWLZ-M3-7.5(4.2)
- MZB-1m*50/gray
- WXG-27mm-65mm
- TM1812-SOP16-TA1515B
- TM1830-2-SOT23-3-TA2218B
- TM1830-3-SOT23-3TA2202