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HSMA3078实物图
  • HSMA3078商品缩略图

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HSMA3078

N沟道快速开关MOSFET,采用先进SGT MOS技术,低栅极电荷,高电流能力,符合RoHS和无卤标准

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品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSMA3078
商品编号
C51025884
商品封装
LFPAK-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)390A
导通电阻(RDS(on))0.35mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)155nC
属性参数值
输入电容(Ciss)8.987nF
反向传输电容(Crss)728pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)3.93nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

  • 经过100% UIS测试
  • 采用先进SGT MOS技术
  • 低栅极电荷
  • 高电流能力
  • 符合RoHS和无卤标准

商品特性

应用领域

  • 台式计算机电源管理
  • DC/DC转换器

数据手册PDF