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HSU4600
N-Ch和P-Ch快速开关MOSFET
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- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EAS保证；提供绿色器件；超低栅极电荷；出色的CdV/dt效应抑制；采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU4600
- 商品编号
- C51025868
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@7.5V；9.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V；26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.572nF；1.905nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF；165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 221pF；198pF |