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HSP1504
N沟道150V快速开关MOSFET
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- 描述
- 100% EAS保证。提供绿色环保器件。超低导通电阻RDS(ON)。采用先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP1504
- 商品编号
- C51025873
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 321pF |
商品概述
100%保证EAS 提供绿色器件 超低导通电阻RDS(ON) 先进的高单元密度SGT MOS技术 N沟道150V快速开关MOSFET产品概述
商品特性
- 100%保证EAS
- 提供绿色器件
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 先进的高单元密度SGT MOS技术
应用领域
- 负载开关
- LED应用
- PWM应用
- 电源管理